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在锑化学物理量子阱大功率激光器方面

中国科学院半导体研究所牛智川研究员团队深入研究锑化物半导体材料的基础物理、异质结低维材料外延生长和光电器件的制备技术等,金属光栅侧向耦合分布反馈(LC-DFB)量子阱单模激光器实现2μm波段高边模抑制比(~53dB)下的高功率(40mW)室温连续输出

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